An Mn3Sn homo-junction enables efficient field-free full switching of chiral antiferromagnets with greatly reduced power consumption, advancing their potential for energy-efficient magnetic memory devices with advantages of ultradense integration and ultrafast speed.
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“呐，这个工作很有挑战，每个客人性格都不同，你安排小姐被客人挑走，他下次再找你，是不是很有成就感啦？所以很喜欢这个行业。”
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